性别：女
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：2011-08-16
手机版
最后更新时间：..
点击次数：
发布时间：2023-09-07
所属单位：新一代半导体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202210227495.6
发明人数：5
是否职务专利：否
申请日期：2022-03-08
公开日期：2023-07-07
授权日期：2023-07-07
上一条： 一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法
下一条： 一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
