性别：女
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：2011-08-16
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发布时间：2023-09-27
所属单位：新一代半导体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202111524463.4
发明人数：6
是否职务专利：否
申请日期：2021-12-14
公开日期：2023-06-13
授权日期：2023-06-13
下一条： 一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
