Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires
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论文名称：Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires
发表刊物：Scientific reports
第一作者：杨再兴
全部作者：宋爱民,尹延学
论文类型：基础研究
论文编号：EE2D18DF1699467F91EAA744FB15B8B9
是否译文：否
发表时间：2018-05
发布时间：2019-04-13
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