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High-Performance Wrap-Gated InGaAs Nanowire Field-Effect Transistors with Sputtered Dielectrics

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所属单位：微电子学院
论文名称：High-Performance Wrap-Gated InGaAs Nanowire Field-Effect Transistors with Sputtered Dielectrics
第一作者：杨再兴
论文类型：基础研究
论文编号：lw-195869
是否译文：否
发表时间：2015-12
发布时间：2019-04-14

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