Carbon doping of InSb nanowires for high-performance p-channel field-effect-transistors
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所属单位:微电子学院
论文名称:Carbon doping of InSb nanowires for high-performance p-channel field-effect-transistors
第一作者:杨再兴
论文类型:基础研究
论文编号:lw-195883
是否译文:否
发表时间:2013-08
发布时间:2019-04-14