杨再兴山东大学主页平台管理系统--中文主页

杨再兴 ( 教授 ) 赞
个人主页 http://faculty.sdu.edu.cn/yangzaixing/zh_CN/index.htm
教授博士生导师硕士生导师

论文成果当前位置：中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Ambipolar SnOx thin-film transistors achieved at high sputtering power

点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Applied physics letters
全部作者：辛倩,周莉,杨再兴,林兆军,王卿璞,宋爱民
第一作者：李云鹏
论文类型：基础研究
论文编号：66805FE4E7DA4BC8A74D901F42249EC2
卷号：112
期号：18
是否译文：否
发表时间：2018-04-30

上一条： Manipulating III-V Nanowire Transistor Performance via Surface Decoration of Metal-Oxide Nanoparticles

下一条： Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation