Controlled growth of heterostructured Ga/GaAs nanowires with sharp schottky barrier
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所属单位:微电子学院
论文名称:Controlled growth of heterostructured Ga/GaAs nanowires with sharp schottky barrier
发表刊物:Cryst. Growth Des
第一作者:Zhou Wang
全部作者:杨再兴,尹延学
论文类型:基础研究
论文编号:D433B3AB312945B882DB90A8E4DF726E
是否译文:否
发表时间:2018-06
发布时间:2019-06-08