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  • 杨再兴 ( 教授 ) 赞

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论文成果 当前位置： 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果
Controlled growth of heterostructured Ga/GaAs nanowires with sharp schottky barrier

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所属单位：微电子学院
发表刊物：Cryst. Growth Des
全部作者：杨再兴,尹延学
第一作者：Zhou Wang
论文类型：基础研究
论文编号：D433B3AB312945B882DB90A8E4DF726E
是否译文：否
发表时间：2018-06-29

 

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