Controlled growth of heterostructured Ga/GaAs nanowires with sharp schottky barrier
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所属单位：微电子学院
论文名称：Controlled growth of heterostructured Ga/GaAs nanowires with sharp schottky barrier
发表刊物：Cryst. Growth Design.
第一作者：Zhou Wang
全部作者：杨再兴,尹延学
论文类型：基础研究
论文编号：09DB1761B6F0454BB02937A20E1A483B
是否译文：否
发表时间：2018-06
发布时间：2019-06-12
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