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Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, 111-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor–Solid–Solid Chemical Vapor Deposition

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所属单位：微电子学院
发表刊物：ACS nano
全部作者：宋爱民
第一作者：杨再兴
论文类型：基础研究
论文编号：5CA3C35A3B524FFBB8A7B3678A9A1907
是否译文：否
发表时间：2017-03-29

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