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杨再兴 ( 教授 ) 赞
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教授博士生导师硕士生导师

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Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation

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所属单位：集成电路学院
发表刊物：Semiconductor Science and Technology
全部作者：王一鸣,杨再兴,辛倩,宋爱民,
第一作者：梁广大
论文编号：229D178CE76143EAB1DD3BF02D002873
卷号：33
期号：6
字数：5
是否译文：否
发表时间：2018-06-01

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