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Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation

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所属单位：集成电路学院
论文名称：Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation
发表刊物：Semiconductor Science and Technology
第一作者：梁广大
全部作者：杨再兴,辛倩,宋爱民,115000170001,王一鸣
论文编号：229D178CE76143EAB1DD3BF02D002873
卷号：33
期号：6
字数：5
是否译文：否
发表时间：2018-06
发布时间：2019-10-24

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