山东大学教师主页杨再兴 Defect Engineering of Out-of-Plane Charge Transport in van der Waals Heterostructures for Bi-Direction Photoresponse 中文主页

杨再兴 ( 教授 ) 赞
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Carbon doping of InSb nanowires for high-performance p-channel field-effect-transistors

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所属单位：集成电路学院
论文名称：Carbon doping of InSb nanowires for high-performance p-channel field-effect-transistors
发表刊物：Nanoscale
第一作者：杨再兴
全部作者：杨再兴
论文编号：lw-195883
是否译文：否
发表时间：2013-08
发布时间：2019-10-25

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