Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, 111-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor–Solid–Solid Chemical Vapor Deposition
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所属单位：集成电路学院
论文名称：Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, 111-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor–Solid–Solid Chemical Vapor Deposition
发表刊物：ACS nano
第一作者：杨再兴
全部作者：宋爱民,杨再兴
论文编号：5CA3C35A3B524FFBB8A7B3678A9A1907
是否译文：否
发表时间：2017-03
发布时间：2019-10-25
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