Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires
点击次数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires
发表刊物：Scientific Reports
第一作者：杨再兴
全部作者：宋爱民,尹延学,杨再兴
论文编号：D5BA3EB83706466D92951640EA0414B1
是否译文：否
发表时间：2018-05
发布时间：2019-10-25
赞 
