Ultrahigh Hole Mobility of Sn-Catalyzed GaSb Nanowires for High Speed Infrared Photodetectors
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所属单位：集成电路学院
论文名称：Ultrahigh Hole Mobility of Sn-Catalyzed GaSb Nanowires for High Speed Infrared Photodetectors
发表刊物：Nano Letters
第一作者：孙嘉敏
全部作者：杨再兴,马衍东,戴瑛
论文编号：540035C2EF8A47C094041844F121DCB4
是否译文：否
发表时间：2019-08
发布时间：2020-01-01
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