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Ultrahigh Hole Mobility of Sn-Catalyzed GaSb Nanowires for High Speed Infrared Photodetectors

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所属单位：微电子学院
发表刊物：Nano Letters
全部作者：杨再兴,马衍东,戴瑛
第一作者：孙嘉敏
论文类型：基础研究
论文编号：540035C2EF8A47C094041844F121DCB4
是否译文：否
发表时间：2019-08-02

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