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  • 杨再兴 ( 教授 )

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Toward Unusual-High Hole Mobility of p-Channel Field-Effect-Transistors

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所属单位:物理学院
发表刊物:Small
第一作者:孙嘉敏
论文类型:基础研究
论文编号:650F95C0277B4208AB705D37C078516E
卷号:17
期号:37
字数:5
是否译文:否
发表时间:2021-09-01

 

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