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Toward Unusual-High Hole Mobility of p-Channel Field-Effect-Transistors

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所属单位：物理学院
论文名称：Toward Unusual-High Hole Mobility of p-Channel Field-Effect-Transistors
发表刊物：Small
第一作者：孙嘉敏
论文编号：650F95C0277B4208AB705D37C078516E
卷号：17
期号：37
字数：5
是否译文：否
发表时间：2021-09
发布时间：2021-10-05

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