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所属单位：物理学院
论文名称：High-performance and low-power source-gated transistors enabled by a solution-processed metal oxide homojunction
发表刊物：《PNAS》
论文编号：7E346485C6704AE0B2117ABF94A68071
期号：120
字数：8
是否译文：否
发表时间：2023-01
发布时间：2023-05-25