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High Performance and Low Power Source-Gated Transistors Enabled by a Solution-Processed Metal Oxide Homojunction

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所属单位：物理学院
发表刊物：《Proc Natl Acad Sci U S A.》
第一作者：庄昕明
论文编号：9FBE43051EA54322BBEE78FD371C4ECC
期号：3
字数：8000
是否译文：否
发表时间：2023-01-17

 

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