杨再兴山东大学主页平台管理系统--中文主页

杨再兴 ( 教授 ) 赞
个人主页 http://faculty.sdu.edu.cn/yangzaixing/zh_CN/index.htm
教授博士生导师硕士生导师

论文成果当前位置：中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Toward High Bias-Stress Stability P-Type GaSb Nanowire Field-Effect-Transistor for Gate-Controlled Near-Infrared Photodetection and Photocommunication

点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：Advanced functional materials
论文编号：314C533916B0444396DED0A623634621
期号：2304064
字数：4
是否译文：否
发表时间：2023-05-25

上一条： GHz Compact Laser Enabled by GaSb Nanowires as Saturable Absorbers

下一条： An Amorphous Native Oxide Shell for High Bias-Stress Stability Nanowire Synaptic Transistor