郁万成
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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
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Effect of basal plane bending on the atomic step morphology of the 4H-SiC substrate surface
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论文名称：Effect of basal plane bending on the atomic step morphology of the 4H-SiC substrate surface
发表刊物：Vaccum
页面范围：2023, 212,112013
是否译文：否
发布时间：2023-09-28