郁万成
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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
联系方式：
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Hot-zone design and optimization of resistive heater for SiC single crystal growth
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所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Hot-zone design and optimization of resistive heater for SiC single crystal growth
发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE Journal
第一作者：王兴龙
论文编号：E30905E21DD84A7D8F8435329EB0643D
期号：19
字数：3000
是否译文：否
发表时间：2024-05
发布时间：2024-05-16