郁万成
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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
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Effects of crucible etching and polycrystal deposition in the top-seeded solution growth of SiC single crystal
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所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Effects of crucible etching and polycrystal deposition in the top-seeded solution growth of SiC single crystal
发表刊物：Journal of crystal growth
第一作者：张茜莹
全部作者：王丽焕
论文编号：2031279893249495042
卷号：681
是否译文：否
发表时间：2026-04
发布时间：2026-05-21