郁万成
|
个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
联系方式：
电子邮箱：
扫描关注
Effect of coil movement on the growth of silicon carbide by top-seeded solution growth
点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Effect of coil movement on the growth of silicon carbide by top-seeded solution growth
发表刊物：Journal Crystal Growth
第一作者：赵东升
全部作者：徐现刚,王丽焕,陈秀芳
论文编号：4C64CFFF0B944A739DE371265D98BF1C
期号：686
页面范围：128605
字数：5
是否译文：否
发表时间：2026-03
发布时间：2026-05-31