郁万成
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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2022-06
学科：集成电路工程
材料科学与工程
办公地点：半导体研发大楼308
联系方式：
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Enhancement of edge quality in SiC single crystals via flow field control with multi-zone graphite rings
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所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Enhancement of edge quality in SiC single crystals via flow field control with multi-zone graphite rings
发表刊物：JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者：刘鹏
全部作者：徐现刚,胡小波,陈秀芳,杨祥龙,谢雪健
论文编号：C9EBC9AA11F54FED9AF176702C18F153
期号：1068
页面范围：188578
字数：5
是否译文：否
发表时间：2026-05
发布时间：2026-05-31