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Multi-Step junction termination extension design and simulation study for 4H-SiC Schottky barrier diode

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：物理结果

第一作者：Wang, Xinyu

论文编号：1806576901185818626

卷号：62

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2024-07-01

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