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    钟宇

    • 副研究员
    • 性别：女
    • 毕业院校：德国拜罗伊特大学
    • 学历：博士研究生毕业
    • 学位：博士生
    • 在职信息：在职
    • 所在单位：新一代半导体材料集成攻关大平台
    • 入职时间： 2021-01-11
    • 电子邮箱：yu.zhong@sdu.edu.cn

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    一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法

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    所属单位：新一代半导体材料研究院

    专利类型：发明

    申请号：202210196597.6

    发明人数：8

    是否职务专利：否

    申请日期：2022-03-02

    公开日期：2024-05-28

    授权日期：2024-05-28


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