Effect of the thickness of undoped GaN interlayers between multiple quantum wells and the p-doped layer on the performance of GaN light-emitting diodes
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发表刊物：Optics Express
全部作者：Kang Zhang,Chao Liu,Yian Yin,Lejuan Wu,Hailong Wang,Xiaodong Yang,Guowei Xiao,Yugang Zhou
第一作者：Taiping Lu
论文类型：期刊论文
通讯作者：Shuti Li
卷号：19
页面范围：18319
是否译文：否
发表时间：2011-09-01
发表时间：2011-09-01