刘超 (教授)

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校:香港科技大学

学位:博士

在职信息:在职

所在单位:集成电路学院

入职时间:2019-04-26

学科:微电子学与固体电子学

办公地点:山东大学软件园校区3-B栋302室

   
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The advantage of blue InGaN multiple quantum wells light-emitting diodes with p-AlInN electron blocking layer

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发表刊物:Chinese Physics B

全部作者:Kang Zhang,Chao Liu,Guowei Xiao,Yugang Zhou,Shuwen Zheng,Yian Yin,Lejuan Wu,Hailong Wang,Xiaodong Yang

第一作者:Taiping Lu

论文类型:期刊论文

通讯作者:Shuti Li

卷号:20

页面范围:098503

是否译文:

发表时间:2011-09-01

发表时间:2011-09-01

上一条: Effect of the thickness of undoped GaN interlayers between multiple quantum wells and the p-doped layer on the performance of GaN light-emitting diodes

下一条: Study of GaP single crystal layers grown on GaN by MOCVD