标题：
新型大功率GaN电子器件外延及芯片制备技术研究
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项目名称：
新型大功率GaN电子器件外延及芯片制备技术研究
所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
负责人姓名：
胡小波
项目来源单位：
山东浪潮华光光电子公司—863计划
项目性质：
纵向
项目级别：
国家级
项目参与人员：
胡小波,胡小波
项目编号：
kyxm-59246
项目批准号：
2015AA033302
立项时间：
2015-01-01
计划完成时间：
2017-12-31
结项日期：
2017-12-31
开始日期：
2015-01-01
发布时间：
2019-04-18
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）