标题：
高质量6英寸SiC单晶生长与衬底加工技术研究
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项目名称：
高质量6英寸SiC单晶生长与衬底加工技术研究
所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
负责人姓名：
胡小波
项目来源单位：
国网山东省电力公司电力科学研究院
项目性质：
横向
项目参与人员：
胡小波,徐现刚
项目编号：
kyxm-61699
项目批准号：
11261602
立项时间：
2016-01-01
计划完成时间：
2018-12-31
结项日期：
2018-12-31
开始日期：
2016-01-01
发布时间：
2019-04-18
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）