UBO
6Q0
wPO
w1m
dnV
xmq
Jik
Y5s
biV
BSa
y3k
dim
7h7
U1m
wPw
dTd
0kv
tw6
y59
3d9
首页
科学研究
研究领域
论文成果
专利
著作成果
科研项目
科研团队
教学研究
教学资源
授课信息
教学成果
获奖信息
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
更多
`
中文
English
胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
教师姓名：
胡小波
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
性别：
男
职称：
教授
在职信息：
在职
所属院系：
晶体材料研究院
当前位置:
中文主页
>>
科学研究
>>
科研项目
标题：
SiC单晶衬底制备
点击次数：
项目名称：
SiC单晶衬底制备
所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
负责人姓名：
徐现刚
项目来源单位：
科技部 863
项目性质：
纵向
项目级别：
国家级
项目参与人员：
徐现刚,胡小波
项目编号：
kyxm-28574
项目批准号：
06AA03A145
立项时间：
2006-12-10
计划完成时间：
2008-12-30
结项日期：
2008-12-30
开始日期：
2006-12-10
发布时间：
2019-04-18
上一条：
6英寸SiC单晶生长炉的研制
下一条：
大尺寸半导体SiC单晶衬底材料
扫一扫用手机查看
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）