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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

发表刊物：

Materials science forum

全部作者：

陈秀芳,彭燕,徐现刚

第一作者：

胡小波

论文类型：

基础研究

论文编号：

lw-175588

是否译文：

否

发表时间：

2015-01-21

发表时间：

2015-01-21

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