胡小波山东大学主页平台管理系统--中文主页

胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC with Strong Oxidizing Slurry

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

发表刊物：

《人工晶体学报》

全部作者：

陈秀芳,徐现刚

第一作者：

胡小波

论文类型：

基础研究

论文编号：

lw-175592

是否译文：

否

发表时间：

2015-03-15

发表时间：

2015-03-15

上一条：金刚石微粉对SiC机械抛光的研究影响

下一条： Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces

扫一扫用手机查看