胡小波山东大学主页平台管理系统--中文主页

胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

发表刊物：

《人工晶体学报》

全部作者：

陈秀芳,胡小波,徐现刚

第一作者：

彭燕

论文类型：

应用研究

论文编号：

lw-178896

是否译文：

否

发表时间：

2016-03-11

发表时间：

2016-03-11

上一条： Selective-area lateral epitaxial overgrowth of SiC by controlling the supersaturation in sublimation growth

下一条： Anharmonic effect on first-order Raman modes of p-type 6H-SiC

扫一扫用手机查看