标题:
Selective-area lateral epitaxial overgrowth of SiC by controlling the supersaturation in sublimation growth
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所属单位:
晶体材料研究所
发表刊物:
CrystEngComm
全部作者:
陈秀芳,彭燕,胡小波,徐现刚
第一作者:
杨祥龙
论文类型:
基础研究
论文编号:
2557E73BC3D44D8EA03DE3BD5B5DA01A
卷号:
20
期号:
12
页面范围:
1705
是否译文:
否
发表时间:
2018-03-28
发表时间:
2018-03-28