标题：
Selective-area lateral epitaxial overgrowth of SiC by controlling the supersaturation in sublimation growth
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所属单位：
晶体材料研究所
论文名称：
Selective-area lateral epitaxial overgrowth of SiC by controlling the supersaturation in sublimation growth
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
杨祥龙
全部作者：
陈秀芳,彭燕,胡小波,徐现刚
论文类型：
基础研究
论文编号：
2557E73BC3D44D8EA03DE3BD5B5DA01A
卷号：
20
期号：
12
页面范围：
1705
是否译文：
否
发表时间：
2018-03
发布时间：
2019-04-14
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）