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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

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标题：

宽禁带SiC单晶衬底研究进展

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

发表刊物：

《电力电子技术》

全部作者：

徐现刚,陈秀芳,胡小波

第一作者：

杨祥龙

论文类型：

应用研究

论文编号：

403788664E874453956B218986299FF8

卷号：

期号：

页面范围：

是否译文：

否

发表时间：

2017-06-01

发表时间：

2017-06-01

上一条：高质量N 型SiC 单晶生长及其器件应用

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