标题：
High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000(1)over-bar) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching
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所属单位：
晶体材料研究所
论文名称：
High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000(1)over-bar) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching
发表刊物：
Materials letters
第一作者：
张福生
全部作者：
陈秀芳,徐现刚,胡小波,赵显
论文类型：
基础研究
论文编号：
15CE5131C3D44DDA8B1ADB1112E420A4
卷号：
195
页面范围：
82
是否译文：
否
发表时间：
2017-05
发布时间：
2019-04-14
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）