标题：
Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究所
论文名称：
Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
杨祥龙
全部作者：
陈秀芳,彭燕,胡小波,徐现刚
论文类型：
基础研究
论文编号：
5C7E420D9D96411ABAB320919607F80C
卷号：
20
期号：
43
页面范围：
6957
是否译文：
否
发表时间：
2018-11
发布时间：
2019-04-14
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）