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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

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标题：

Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

发表刊物：

CrystEngComm

全部作者：

陈秀芳,彭燕,胡小波,徐现刚

第一作者：

杨祥龙

论文类型：

基础研究

论文编号：

5C7E420D9D96411ABAB320919607F80C

卷号：

期号：

页面范围：

6957

是否译文：

否

发表时间：

2018-11-21

发表时间：

2018-11-21

上一条： High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (0001¯) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching

下一条： High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000(1)over-bar) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching

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