标题：
Thermal conductivity of 4H-SiC single crystal
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Thermal conductivity of 4H-SiC single crystal
发表刊物：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
第一作者：
胡小波
全部作者：
胡小波
论文编号：
lw-161337
卷号：
113
页面范围：
535031
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2013-06
发布时间：
2019-11-07
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）