标题：
Influence of the misorientation of 6H-SiC substrate on the quality of GaN epilayer grown by MOVPE
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Influence of the misorientation of 6H-SiC substrate on the quality of GaN epilayer grown by MOVPE
发表刊物：
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者：
胡小波
全部作者：
胡小波
论文编号：
lw-161338
卷号：
509
页面范围：
3656
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2011-06
发布时间：
2019-11-07
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）