标题：
Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces
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所属单位：
晶体材料研究院
论文名称：
Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces
发表刊物：
Materials Science Forum
第一作者：
胡小波
全部作者：
徐现刚,陈秀芳,彭燕,胡小波
论文类型：
基础研究
论文编号：
lw-175588
是否译文：
否
发表时间：
2015-08
发布时间：
2019-11-07
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）