标题：
Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC with Strong Oxidizing Slurry
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC with Strong Oxidizing Slurry
发表刊物：
《人工晶体学报》
第一作者：
胡小波
全部作者：
陈秀芳,徐现刚,胡小波
论文编号：
lw-175592
卷号：
44
页面范围：
1741
是否译文：
否
发表时间：
2015-07
发布时间：
2019-11-07
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）