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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Progress in research of GaN-based LEDs fabricated on SiC substrate

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究院

发表刊物：

Chin. Phys. B

全部作者：

徐化勇,陈秀芳,彭燕,胡小波

第一作者：

徐化勇

论文类型：

基础研究

论文编号：

lw-175597

卷号：

页面范围：

673051

是否译文：

否

发表时间：

2015-01-06

发表时间：

2015-01-06

上一条： Observation of inhomogeneity in congruent LiTaO3 crystal

下一条： The stress birefringence images of low angle grain boundaries in 6H-SiC single crystals

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