标题：
Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System
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所属单位：
晶体材料研究院
论文名称：
Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System
发表刊物：
MATERIALS RESEARCH BULLETION
第一作者：
彭燕
论文类型：
基础研究
论文编号：
F209BBE71E53460D81B14BF05094935B
是否译文：
否
发表时间：
2019-12
发布时间：
2020-06-16
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）