标题：
Photoluminescence properties of N–B Co-doped fluorescent SiC
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Photoluminescence properties of N–B Co-doped fluorescent SiC
发表刊物：
Semicond. Sci. Tech.
第一作者：
彭燕
全部作者：
杨祥龙,陈秀芳,徐现刚,谢雪健
论文编号：
600CEEBB26ED4F69BFDD76C9BF4E63F4
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2020-01
发布时间：
2020-06-16
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）