标题：
Effect of electron avalanche breakdown on a high-purity semi-insulating 4H-SiC photoconductive semiconductor switch under intrinsic absorption
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料集成攻关大平台
论文名称：
Effect of electron avalanche breakdown on a high-purity semi-insulating 4H-SiC photoconductive semiconductor switch under intrinsic absorption
发表刊物：
Applied Optics
第一作者：
肖龙飞
论文类型：
应用研究
论文编号：
2018zxsei1865
卷号：
20
期号：
11
页面范围：
2804
是否译文：
否
发表时间：
2018-12
发布时间：
2021-05-22
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）