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胡小波

职称：教授
所在单位：晶体材料研究院

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Polarized Raman Scattering of Epitaxial Graphene Prepared by Thermal Decomposition of SiC

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究院

发表刊物：

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY

第一作者：

秦笑

论文类型：

基础研究

论文编号：

D6FF863C5156441F87B1B23A27880627

卷号：

期号：

页面范围：

M35

是否译文：

否

发表时间：

2018-06-01

发表时间：

2018-06-01

上一条： High-Responsivity Graphene/4H-SiC Ultraviolet Photodetector Based on a Planar Junction Formed by the Dual Modulation of Electric and Light Fields

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