标题：
Revelation of the dislocations in the C face of 4HSiC substrates using a microwave plasma etching treatment
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
CRYSTENGCOMM
第一作者：
彭燕
论文类型：
基础研究
论文编号：
E3FC00366F23467F925689374D888D93
期号：
23
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2020-10-12
发表时间：
2020-10-12
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院