山东大学教师主页胡小波 Growth of p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using p-type SiC powder 中文主页

胡小波

教师姓名：胡小波
教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
性别：男
职称：教授
在职信息：在职
所属院系：晶体材料研究院

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

用于MPCVD 金刚石薄膜生长的高表面质量HTHP 金刚石的制备

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

论文名称：

用于MPCVD 金刚石薄膜生长的高表面质量HTHP 金刚石的制备

发表刊物：

《材料导报》

第一作者：

彭燕

论文类型：

应用研究

论文编号：

3166619AA9A64481B04FBF8B56201AB9

期号：

字数：

3000

是否译文：

否

发表时间：

2021-02

发布时间：

2021-10-11

上一条： Revelation of the dislocations in the C-face of 4H-SiC substrates using a microwave plasma etching treatment

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