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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究院

发表刊物：

MATERIALS

第一作者：

王希玮

论文类型：

应用研究

论文编号：

9D01A56F825C4D3FB2CF95960232E0EB

卷号：

期号：

字数：

3000

是否译文：

否

发表时间：

2019-12-01

发表时间：

2019-12-01

上一条： Surface Morphology of the Interface Junction of CVD Mosaic Single-Crystal Diamond

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