标题：
Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System
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所属单位：
晶体材料研究院
论文名称：
Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System
发表刊物：
MATERIALS
第一作者：
王希玮
论文类型：
应用研究
论文编号：
9D01A56F825C4D3FB2CF95960232E0EB
卷号：
12
期号：
23
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2019-12
发布时间：
2021-10-20
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）