标题：
Revelation of the dislocations in the C-face of 4H-SiC substrates using a microwave plasma etching treatment
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究院
论文名称：
Revelation of the dislocations in the C-face of 4H-SiC substrates using a microwave plasma etching treatment
发表刊物：
CrystEng Comm
第一作者：
于金英
论文类型：
基础研究
论文编号：
C8AAD6E1796B4EB4B2D502DEF34AFBEF
卷号：
23
期号：
2
页面范围：
353
字数：
3500
是否译文：
否
发表时间：
2021-01
发布时间：
2021-10-20
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）