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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Revelation of the dislocations in the C-face of 4H-SiC substrates using a microwave plasma etching treatment

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究院

发表刊物：

CrystEng Comm

第一作者：

于金英

论文类型：

基础研究

论文编号：

C8AAD6E1796B4EB4B2D502DEF34AFBEF

卷号：

期号：

页面范围：

353

字数：

3500

是否译文：

否

发表时间：

2021-01-14

发表时间：

2021-01-14

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